LN60A01ES-LF
制造厂商：M . P . S
类别封装：FET - 阵列，8-SOIC
技术参数：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号: LN60A01ES-LF专营现货，有效提高上游库存周转效率和下游采购效率功能总体简述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC系列: -FET 类型: 3 N 沟道，共栅FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80mA不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 190 欧姆 @ 10mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -功率 - 最大值: 1.3W安装类型: *封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装: 8-SOIC现在可以订购LN60A01ES-LF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
