LN60A01ES-LF-Z
制造厂商：M . P . S
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：LN60A01ES-LF-Z专营现货，有效提高上游库存周转效率和下游采购效率描述：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：3 N 沟道，共栅FET功能：标准漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：80mA不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 欧姆 @ 10mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：1.3W工作温度：-20°C ~ 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购LN60A01ES-LF-Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
